标题
n型和p型CuInO高导电薄膜的被动蒸发
文档类型
文章
出版日期
7-5-2014
出版来源
杂志的合金和化合物
卷号
600年
第一页
159年
最后一页
161年
出版商
爱思唯尔科学公司
石头
0925 - 8388
文摘
无掺杂铜氧化铟薄膜电导率三到四个数量级高于迄今为止报道在此系统中,表现出n型和p型两种极性由反应蒸发法成功地准备。霍尔系数和热探测技术与热电动势测量确定的导电类型电影从n - p型,随着电影构成了能量色散x射线分析从富裕到铜丰富的变化。电导率是发现类似于2.1 x 10 (1) S /厘米在富裕n型电影,因为它类似于1.13 x 10 (2) S /厘米Cu-rich p型电影与相应的载体浓度和载流子迁移率增加后者。扫描电子显微图显示关闭组装nanograins和x射线衍射显示改变微晶的取向(006)(600),从富裕到铜成分丰富。(C) 2014爱思唯尔帐面价值保留所有权利。
关键字
CUALO2 CUINO2,氧化物材料、薄膜、电传输
建议引用
玛丽,苏利耶。,宾度g·奈尔,约翰Naduvath,g . s . Okram,斯蒂芬·k·Remillard,p . v . Sreenivasan,and Rachel R. Philip. “Highly Conductive N- and P-Type CuInO Thin Films by Reactive Evaporation.”杂志的合金和化合物600(2014年7月5日):159 - 61。doi: 10.1016 / j.jallcom.2014.02.113。
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